RS-485 MAX13487E Datasheet 정리 4

Hot-Swap Capability

 

Hot-Swap Inputs

회로 기판이 이미 전원이 공급된 상태인 백플레인에 삽입될 때, 데이터 버스에서 차동 신호 교란은 데이터 에러를 야기할 수 있다. 최초 회로 기판의 삽입 시, 데이터 통신 프로세서는 자체적인 power-up 시퀀스를 거친다. 이 기간 동안 프로세서의 논리 출력 드라이버는 높은 임피던스 상태이며 이러한 장치들의 DI 및 /RE 입력을 정의된 논리 레벨로 구동할 수 없다. 프로세서 논리 드라이버의 고 임피던스 상태에서 최대 ±10uA의 누설 전류로 인해 송수신기의 표준 CMOS의 활성화 입력이 잘못된 논리 레벨로 이동할 수 있다. 또한, 기생 회로 기판 커패시턴스는 VCC 또는 GND를 enable 입력에 연결시킬 수 있다. Hot-swap 기능 없이, 이러한 요인들은 부적절하게 송수신기의 드라이버를 활성화시킬 수 있다.

 이러한 문제들을 모두 극복하기 위해, 두 개의 다른 풀업 스위치들 (강/약) 이 power-up 동안 켜진다. VCC가 켜지면, 내부 power-up 신호가 strong 풀업 회로를 활성화시킨다. 이는 DI와 /RE를 high 상태로 1mA 15us 동안 유지한다. 시간이 초과되면, 이 strong 풀업은 해제된다. Weak 풀업 (100uA) 은 핀의 누설 전류를 극복하기 위해 활성 상태를 유지한다. 이 두 번째 weak 풀업은 마이크로컨트롤러가 이러한 핀들을 low 상태로 만들면 사라진다. 그러므로 정상 작동에서는(첫 활성화 이후), 이러한 핀들은 풀업회로가 없는 높은 임피던스 핀 (CMOS 입력)으로 간주될 수 있다.

AutoDirection state machine이 초기화되어 드라이버가 비활성화된다. 수신기가 AutoDirection 모드에서 활성화된다.

 

Hot-Swap Input Circuitry

Enable 입력에는 hot-swap 기능이 있다. 입력에는 두 개의 pMOS 장치, M1과 M2가 있다 (그림9). VCC가 0에서 상승하면 내부 15us타이머가 M2를 키고 SR 래치를 설정하는데 이는 또한 M1도 킨다. 트랜지스터 M2(1.5mA 전류원)과 M1(500uA 전류원)은 5kΩ 저항을 통해 /RE를 VCC에 pull up한다. M2는 최대 100pF의 외부 기생 커패시턴스가 /RE를 높은 상태로 만들 수 있는 상황에서 /RE를 비활성화 상태로 유지하도록 설계되었다. 15us 후, 타이머는 M1이 켜진 상태에서 M2를 비활성화하여 /RE를 low로 구동시킬 수 있는 3상 누설에 대비하여 DI를 high로 유지한다. M1은 외부 소스가 필요한 입력전류를 넘을 때까지 켜진 상태를 유지한다. 이 때, SR 래치는 리셋되고 M1은 꺼진다. M1이 켜지면 /RE는 표준 고임피던스 CMOS 입력으로 돌아간다. 언제든 VCC가 1V 아래로 떨어지면, hot-swap 입력은 리셋된다. DI는 유사한 hot-swap 회로를 가진다.

 

출처 : Maxim MAX13487E Datasheet